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FJV3112R分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

FJV3112R
廠商型號

FJV3112R

參數(shù)屬性

FJV3112R 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產品描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

46.12 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導體 飛兆/仙童半導體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 21:57:00

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FJV3112R規(guī)格書詳情

Switching Application (Bias Resistor Built In)

? Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit

? Built in bias Resistor (R=47K?)

? Complement to FJV4112R

產品屬性

  • 產品編號:

    FJV3112RMTF

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內
1983
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