原廠料號(hào)：FGY75T120SQDN品牌：ON/安森美

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FGY75T120SQDN是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝原廠封裝/TO-247-3 變式的FGY75T120SQDN晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

• 芯片型號(hào)：

  FGY75T120SQDN

• 規(guī)格書：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡稱：

  ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱：

  ON Semiconductor

• 中文名稱：

  安森美半導(dǎo)體公司

• 內(nèi)容頁數(shù)：

  9 頁

• 文件大?。?/span>

  559.08 kb

• 資料說明：

  Ultra Field Stop IGBT, 1200 V, 75 A