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FGPF90N30數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

FGPF90N30

參數(shù)屬性

FGPF90N30 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 300V 56.8W TO220F

功能描述

IGBT 300V 56.8W TO220F

封裝外殼

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-15 19:10:00

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FGPF90N30規(guī)格書詳情

簡介

FGPF90N30屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的FGPF90N30晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :FGPF90N30

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)

    :300V

  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)

    :220A

  • 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on)

    :1.55V @ 15V,30A

  • 功率 - 最大值

    :56.8W

  • 開關(guān)能量

    :-

  • 輸入類型

    :標(biāo)準(zhǔn)

  • 柵極電荷

    :93nC

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值

    :-

  • 測試條件

    :-

  • 工作溫度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型

    :通孔

  • 封裝/外殼

    :TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :TO-220F

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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