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FGP5N60UFD數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

FGP5N60UFD

參數(shù)屬性

FGP5N60UFD 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 10A 81W TO220

功能描述

600V, 5A Field Stop IGBT
IGBT 600V 10A 81W TO220

封裝外殼

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-15 16:33:00

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FGP5N60UFD規(guī)格書詳情

簡介

FGP5N60UFD屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的FGP5N60UFD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FGP5N60UFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,5A

  • 開關(guān)能量:

    75μJ(開),59μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    6ns/44ns

  • 測試條件:

    400V,5A,20 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 10A 81W TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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