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FGP5N60UFDTU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FGP5N60UFDTU |
| 參數(shù)屬性 | FGP5N60UFDTU 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 10A 81W TO220 |
| 功能描述 | 600V, 5A Field Stop IGBT |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
710.73 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | FAIRCHILD Fairchild Semiconductor |
| 中文名稱 | 仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-21 18:27:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
FGP5N60UFDTU
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，5A
- 開關(guān)能量：
75μJ（開），59μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
6ns/44ns
- 測試條件：
400V，5A，20 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 600V 10A 81W TO220
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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