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FGP5N60UFD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

FGP5N60UFD
廠商型號(hào)

FGP5N60UFD

參數(shù)屬性

FGP5N60UFD 封裝/外殼為T(mén)O-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 10A 81W TO220

功能描述

600V, 5A Field Stop IGBT

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

710.73 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-7 23:00:00

人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FGP5N60UFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,5A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    75μJ(開(kāi)),59μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    6ns/44ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,5A,20 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 10A 81W TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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