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FGP10N60UNDF數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
FGP10N60UNDF |
| 參數(shù)屬性 | FGP10N60UNDF 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT NPT 600V 20A TO220-3 |
| 功能描述 | IGBT，600V，10A，短路額定 |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-15 17:30:00 |
| 人工找貨 | FGP10N60UNDF價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
FGP10N60UNDF規(guī)格書詳情
描述 Description
飛兆半導(dǎo)體的 NPT IGBT 產(chǎn)品采用先進的 NPT IGBT 技術(shù)，為低損耗和短路耐用性極為重要的低功率逆變器驅(qū)動應(yīng)用（如，縫紉機、CNC、電機控制和家用電器）提供最佳性能。
特性 Features
?短路承受額定 10us
?高電流能力
?高輸入阻抗
?快速開關(guān)
?符合RoHS標準
應(yīng)用 Application
? 運動控制-家用設(shè)備
簡介
FGP10N60UNDF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的FGP10N60UNDF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：FGP10N60UNDF
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：600
- IC Max (A)
：10
- VCE(sat) Typ (V)
：2
- VF Typ (V)
：1.8
- Eoff Typ (mJ)
：0.05
- Eon Typ (mJ)
：0.15
- Trr Typ (ns)
：78.9
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：37
- Short Circuit Withstand (μs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：139
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-220-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
18+ |
TO-220-3 |
4980 |
18+ |
詢價 | ||
ON/安森美 |
19+ |
SOP8 |
6041 |
正規(guī)渠道原裝正品 |
詢價 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO220 |
30000 |
代理原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢。 |
詢價 | ||
onsemi |
兩年內(nèi) |
NA |
800 |
實單價格可談 |
詢價 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
ONSEMI/安森美 |
2410+ |
TO-220-3 |
80000 |
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯. |
詢價 | ||
原裝正品 |
23+ |
TO-220 |
56923 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
原裝 |
12289 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220-3 |
14100 |
原裝正品 |
詢價 |
