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FGH40N60SFDTU分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGH40N60SFDTU
廠商型號

FGH40N60SFDTU

參數屬性

FGH40N60SFDTU 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3

功能描述

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

298.83 Kbytes

頁面數量

14

生產廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導體 飛兆/仙童半導體公司

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-8-10 21:16:00

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FGH40N60SFDTU規(guī)格書詳情

描述 Description

SuperFET?II MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFETII MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.

特性 Features

? 650 V @TJ = 150°C

? Max. RDS(on) = 380 mΩ

? Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 34 nC)

? Low Effective Output Capacitance ( Typ. Coss.eff = 97 pF)

? 100 Avalanche Tested

Applications

? LCD / LED / PDP TV Lighting

? Solar Inverter

? AC-DC Power Supply

產品屬性

  • 產品編號:

    FGH40N60SFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,40A

  • 開關能量:

    1.13mJ(開),310μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    25ns/115ns

  • 測試條件:

    400V,40A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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