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首頁(yè)>FGH30N60LSDTU>規(guī)格書(shū)詳情

FGH30N60LSDTU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

FGH30N60LSDTU
廠商型號(hào)

FGH30N60LSDTU

參數(shù)屬性

FGH30N60LSDTU 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A TO247-3

功能描述

Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

714.63 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-21 16:56:00

人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FGH30N60LSDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.4V @ 15V,30A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.1mJ(開(kāi)),21mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    18ns/250ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,30A,6.8 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 60A TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FSC
24+
NA
27003
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來(lái)電查詢15919825718
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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