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FGH30S150P 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

FGH30S150P參考圖片

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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  • 廠家型號:

    FGH30S150P

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    onsemi(安森美)

  • 庫存數(shù)量:

    1224

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-247

  • 生產(chǎn)批號:

    24+

  • 庫存類型:

    熱賣庫存

  • 更新時間:

    2025-7-30 16:26:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:FGH30S150P品牌:onsemi(安森美)

原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)

FGH30S150P是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的FGH30S150P晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    FGH30S150P

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 型號

    :FGH30S150P

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :1500

  • IC Max (A)

    :30

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.85

  • VF Typ (V)

    :1.61

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.9

  • Eon Typ (mJ)

    :1.16

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :369

  • Short Circuit Withstand (μs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :500

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪留言

  • 聯(lián)系人:

    高捷芯城-敏敏

  • 手機:

    13378405761

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-82538261

  • 傳真:

    0755-82550578

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華富路1006號航都大廈10層