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FGA30T65SHD數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF

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廠商型號(hào)

FGA30T65SHD

參數(shù)屬性

FGA30T65SHD 封裝/外殼為T(mén)O-3P-3,SC-65-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN

功能描述

IGBT,650 V,30A,場(chǎng)截止溝槽
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN

封裝外殼

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-3 19:13:00

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FGA30T65SHD規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

Fairchild 的場(chǎng)截止第三代 IGBT 新系列采用新型場(chǎng)截止 IGBT 技術(shù),為光伏逆變器、UPS、焊機(jī)、通訊、ESS 和 PFC 等低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用提供最佳性能。

特性 Features

?最大結(jié)溫: TJ=175°C
?正溫度系數(shù),易于并聯(lián)運(yùn)行
?高電流能力
?低飽和電壓: VCE(sat)=1.6 V(典型值) @ IC = 30 A
?部件 100% 經(jīng)過(guò) ILM
檢測(cè)
?高輸入阻抗
?快速開(kāi)關(guān)
?緊密的參數(shù)分布
?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

簡(jiǎn)介

FGA30T65SHD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的FGA30T65SHD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :FGA30T65SHD

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650

  • IC Max (A)

    :30

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.6

  • VF Typ (V)

    :2.2

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.167

  • Eon Typ (mJ)

    :0.598

  • Trr Typ (ns)

    :192

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :54.7

  • Short Circuit Withstand (μs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :238

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-3P-3L

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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