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FGA20S140P數據手冊分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
FGA20S140P |
| 參數屬性 | FGA20S140P 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT TRENCH/FS 1400V 40A TO3PN |
| 功能描述 | IGBT，1400V，20A，短路陽極 |
| 封裝外殼 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導體 安森美半導體公司 |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-5 12:00:00 |
| 人工找貨 | FGA20S140P價格和庫存，歡迎聯系客服免費人工找貨 |
FGA20S140P規(guī)格書詳情
描述 Description
飛兆半導體的短路陽極溝道 IGBT 系列采用先進的場截止溝道和短路陽極技術，為軟開關應用提供卓越的導通和開關性能。該器件可并行配置，具有極佳的雪崩能力。該器件為感應加熱和微波爐而設計。
特性 Features
?高速開關
?低飽和電壓：VCE(sat) =1.9V @ IC = 20A
?高輸入阻抗
?符合 RoHS 標準
應用 Application
? 消費型設備
簡介
FGA20S140P屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產的FGA20S140P晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
技術參數
更多- 制造商編號
：FGA20S140P
- 生產廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1400
- IC Max (A)
：20
- VCE(sat) Typ (V)
：1.9
- VF Typ (V)
：1.7
- Eoff Typ (mJ)
：0.56
- Eon Typ (mJ)
：0.76
- Trr Typ (ns)
：-
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：203.5
- Short Circuit Withstand (μs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：272
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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11+ |
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