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FGA25N120ANTDTU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGA25N120ANTDTU
廠商型號

FGA25N120ANTDTU

參數(shù)屬性

FGA25N120ANTDTU 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P

功能描述

1200 V, 25 A NPT Trench IGBT

封裝外殼

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

786.01 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
FAIRCHILD
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-1 23:00:00

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FGA25N120ANTDTU規(guī)格書詳情

描述 Description

Using Fairchild?s proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction heating, microwave oven.

特性 Features

? NPT Trench Technology, Positive Temperature Coefficient

? Low Saturation Voltage: VCE(sat), typ = 2.0 V ?

@ IC = 25 A and TC = 25°C

? Low Switching Loss: Eoff, typ = 0.96 mJ ?

@ IC = 25 A and TC = 25°C

? Extremely Enhanced Avalanche Capability

Applications

? Induction Heating, Microwave Oven

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FGA25N120ANTDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.65V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    4.1mJ(開),960μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    50ns/190ns

  • 測試條件:

    600V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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