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FGA25N120ANTD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
FGA25N120ANTD |
| 參數(shù)屬性 | FGA25N120ANTD 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 50A 312W TO3P |
| 功能描述 | 1200V NPT Trench IGBT |
| 封裝外殼 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
658.77 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Fairchild Semiconductor |
| 中文名稱 | 仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-3 17:55:00 |
| 人工找貨 | FGA25N120ANTD價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
FGA25N120ANTDTU-F109
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT 和溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.65V @ 15V，50A
- 開關(guān)能量：
4.1mJ（開），960μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
50ns/190ns
- 測試條件：
600V，25A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3P
- 描述：
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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