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FFSH40120ADN-F155數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

FFSH40120ADN-F155

參數(shù)屬性

FFSH40120ADN-F155 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列;產(chǎn)品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 40 A, 1200 V, D1, TO-247-3L
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-20 13:39:00

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FFSH40120ADN-F155規(guī)格書詳情

描述 Description

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology thatprovides superior switching performance and higher reliability to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermalperformance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

特性 Features

? High Surge Current Capacity
? Avalanche Rated 210 mJ
? High Junction Temperature
? Tj = 175°C
?Positive Temperature Coefficient
?No Reverse Recovery / No Forward Recovery

應(yīng)用 Application

? PFC
? Boost Inverter
? Solar
? UPS

簡介

FFSH40120ADN-F155屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-陣列。由制造生產(chǎn)的FFSH40120ADN-F155二極管 - 整流器 - 陣列二極管和整流器陣列系列中的產(chǎn)品可在單個封裝內(nèi)包含兩個或多個分立二極管。其特征表述類似于單個分立二極管,并增加了“二極管配置”屬性,該屬性指示設(shè)備中二極管之間任何內(nèi)部連接的存在情況和特性。請注意,具有全橋配置的陣列被專門排除在外,并列為單獨的產(chǎn)品系列。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :FFSH40120ADN-F155

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Device Grade

    :Commercial

  • Configuration

    :Dual Common Cathode

  • VRRM (V)

    :1200

  • IF(ave) (A)

    :40

  • VF (Max)

    :1.75

  • IFSM (A)

    :135

  • IR (Max) (μA)

    :200

  • Package Type

    :TO-247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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23+
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