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FFD08S60S_F085_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 IGBT FOR HID APP匯萊威一部

FFD08S60S_F085

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  • 廠家型號(hào)：

    FFD08S60S_F085

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    505348

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-17 15:14:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：FFD08S60S_F085品牌：ON/安森美

免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系

  • 芯片型號(hào)：

    FFD08S60S_F085

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    THINKISEMI【思祁半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Thinki Semiconductor Co., Ltd.

  • 中文名稱：

    思祁半導(dǎo)體有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    3 頁

  • 文件大小：

    675.64 kb

  • 資料說明：

    8Ampere,600Volt Single Surface Mount Type Stealth2 Fast Recovery Diode

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FFD08S60S_F085

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 IGBT FOR HID APP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82767689

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503

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