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FF900R12IE4P數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號

FF900R12IE4P

參數(shù)屬性

FF900R12IE4P 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 900A 20MW

功能描述

IGBT模塊
IGBT MOD 1200V 900A 20MW

封裝外殼

模塊

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-31 23:01:00

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FF900R12IE4P規(guī)格書詳情

描述 Description

PrimePACK? 2?1200 V,?900 A half-bridge dual?IGBT module?with TRENCHSTOP? IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode, NTC, fast switching chip and pre-applied Thermal Interface Material.

特性 Features

? Extended operation temperature Tvj op
? High DC stability
? High short circuit capability, self limiting short circuit current
? Low switching losses
? Unbeatable robustness
? VCEsatwith positive temperature coefficient
? 4 kV AC 1 min insulation
? Package with CTI > 400
? High creepage and clearance distances
? High power and thermal cycling capability
? Substrate for low thermal resistance
? UL recognized

優(yōu)勢:
? High power density
? Standardized housing

簡介

FF900R12IE4P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FF900R12IE4P晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :FF900R12IE4P

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :Dual

  • Technology

    :IGBT4 - E4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :900 A

  • OPN

    :FF900R12IE4PBOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.75 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.9 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :PrimePACK? 2

  • Features

    :TIM

  • Dimensions length

    :172 mm

  • Dimensions width

    :89 mm

  • Package name

    :AG-PRIME2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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