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FF800R12KE7數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

廠商型號(hào) |
FF800R12KE7 |
參數(shù)屬性 | FF800R12KE7 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:MEDIUM POWER 62MM AG-62MMHB-711 |
功能描述 | IGBT 模塊 |
封裝外殼 | 模塊 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-22 16:33:00 |
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FF800R12KE7規(guī)格書詳情
特性 Features
優(yōu)勢(shì):
? Existing packages with higher current capability, allows to increase inverter output power with same frame size
? Highest power density
? Avoidance of paralleling of IGBT modules
? Reduced system costs by simplification of the inverter systems
? Flexibility
? Highest reliability
簡(jiǎn)介
FF800R12KE7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FF800R12KE7晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
FF800R12KE7HPSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 系列:
TrenchStop?
- 包裝:
托盤
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 配置:
半橋
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.75V @ 15V, 800A
- 輸入:
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:
無
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝:
AG-62MM
- 描述:
MEDIUM POWER 62MM AG-62MMHB-711
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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