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FDPF5N50

N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4廓

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FDPF5N50

N-Channel MOSFET

FDPF5N50FT

N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55廓

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig

FDPF5N50FT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.55Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

FDPF5N50NZ

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FDPF5N50NZ

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.55Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

FDPF5N50NZ

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM II，500 V，4.5 A，1.5 Ω，TO-220F; ?RDS(on) = 1.38? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2.25A\n?低柵極電荷（典型值 9nC） \n?低 Crss（典型值 4pF） \n?100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試\n?提高了 dv/dt 處理能力\n?改進(jìn)了 ESD 防護(hù)能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n;

UniFETTM II MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體?的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于先進(jìn)平面條形和 DMOS 技術(shù)。 該先進(jìn) MOSFET 系列在平面 MOSFET 產(chǎn)品中具有最小的通態(tài)電阻，還可提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。 此外，內(nèi)部的柵源 ESD 二極管使 UniFET II MOSFET 產(chǎn)品可承受超過(guò) 2kV 的 HBM 沖擊應(yīng)力。 該器件系列適用于開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示器（FPD）電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。

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N 溝道 UniFETTM II FRFET? MOSFET 500V，4.2A，1.75Ω; ?RDS(on) = 1.57? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2.1A\n?低柵極電荷（典型值 9nC） \n?低 Crss（典型值 4pF） \n?100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試\n?提高了 dv/dt 處理能力\n?改進(jìn)了 ESD 防護(hù)能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n;

UniFETTM II MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體?的高壓 MOSFET 系列產(chǎn)品，基于先進(jìn)平面條形和 DMOS 技術(shù)。 該先進(jìn) MOSFET 系列在平面 MOSFET 產(chǎn)品中具有最小的通態(tài)電阻，還可提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。 此外，內(nèi)部的柵源 ESD 二極管使 UniFET II MOSFET 產(chǎn)品可承受超過(guò) 2kV 的 HBM 沖擊應(yīng)力。 UniFET II FRFET? MOSFET體二極管的反向恢復(fù)性能通過(guò)壽命控制方式得到加強(qiáng)。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗擾度為 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 產(chǎn)品分別為 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 體二極管性能具有重要作用的某些應(yīng)用中可消除多余的元件，并提高系統(tǒng)的可靠性。 該器件系列適用于開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示器（FPD）電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。

FDPF5N50NZF

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FDPF5N50NZF

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco