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FDPF5N50NZ

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDPF5N50NZ

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.55Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDPF5N50NZ

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM II，500 V，4.5 A，1.5 Ω，TO-220F; ?RDS(on) = 1.38? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2.25A\n?低柵極電荷（典型值 9nC） \n?低 Crss（典型值 4pF） \n?100% 經過雪崩擊穿測試\n?提高了 dv/dt 處理能力\n?改進了 ESD 防護能力\n?符合 RoHS 標準\n;

UniFETTM II MOSFET 是飛兆半導體?的高壓 MOSFET 系列產品，基于先進平面條形和 DMOS 技術。 該先進 MOSFET 系列在平面 MOSFET 產品中具有最小的通態(tài)電阻，還可提供卓越的開關性能和更高的雪崩能量強度。 此外，內部的柵源 ESD 二極管使 UniFET II MOSFET 產品可承受超過 2kV 的 HBM 沖擊應力。 該器件系列適用于開關電源轉換器應用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示器（FPD）電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDPF5N50NZF

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDPF5N50NZF

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDPF5N50NZF

N 溝道 UniFETTM II FRFET? MOSFET 500V，4.2A，1.75Ω; ?RDS(on) = 1.57? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2.1A\n?低柵極電荷（典型值 9nC） \n?低 Crss（典型值 4pF） \n?100% 經過雪崩擊穿測試\n?提高了 dv/dt 處理能力\n?改進了 ESD 防護能力\n?符合 RoHS 標準\n;

UniFETTM II MOSFET 是飛兆半導體?的高壓 MOSFET 系列產品，基于先進平面條形和 DMOS 技術。 該先進 MOSFET 系列在平面 MOSFET 產品中具有最小的通態(tài)電阻，還可提供卓越的開關性能和更高的雪崩能量強度。 此外，內部的柵源 ESD 二極管使 UniFET II MOSFET 產品可承受超過 2kV 的 HBM 沖擊應力。 UniFET II FRFET? MOSFET體二極管的反向恢復性能通過壽命控制方式得到加強。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗擾度為 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 產品分別為 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 體二極管性能具有重要作用的某些應用中可消除多余的元件，并提高系統(tǒng)的可靠性。 該器件系列適用于開關電源轉換器應用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示器（FPD）電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDPF5N50NZFT

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDPF5N50NZU

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDPF5N50NZU

N-Channel UniFETTM II Ultra FRFETTM MOSFET?

Description UniFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’shighvoltageMOSFETfamilybasedonadvancedplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETfamilyhasthesmalleston-stateresistanceamongtheplanarMOSFET,andalsoprovidessuperiorswitchingperformanceandhigheravalanc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDPF5N50NZU

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=3.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

技術參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    500

  • VGS Max (V)：

    ±30

  • VGS(th) Max (V)：

    5

  • ID Max (A)：

    4.5

  • PD Max (W)：

    30

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    1500

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    9

  • Ciss Typ (pF)：

    330

  • Package Type：

    TO-220-3 FullPak

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-220F
45000
FAIRCHILD/仙童全新現(xiàn)貨FDPF5N50NZ即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂
 詢價
FAIRCHILD/仙童
2021+
TO-220F
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價
 詢價
ON/安森美
2410+
TO-220F
12000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價
ONSemiconductor
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
FAIRCHI
23+
TO220F
8560
受權代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
 詢價
FAIRCHILD
25+23+
TO220F
7770
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價
FAIRCHILD/仙童
22+
TO220F
21046
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
三年內
1983
只做原裝正品
 詢價
FSC/ON
23+
原包裝原封 □□
6000
原裝進口特價供應 特價，原裝元器件供應，支持開發(fā)樣品 更多詳細咨詢 庫存
 詢價
FAIRCHILD/仙童
2022+
20
全新原裝 貨期兩周
 詢價
更多FDPF5N50NZ供應商 更新時間2025-7-28 14:14:00

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