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FDN360P

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/360/marking.html">360；Package：SOT-23；Single P-Channel MOSFET

Features Lowgatecharge(6.2nCtypical) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON). HighpowerversionofindustryStandardSOT-23package. higherpowerhandlingcapability. VDS(V)=-30V D=-2A(VGS=10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

FDN360P

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/360/marking.html">360；Package：SOT-23；P-Channel 2.5 V (D-S) MOSFET

GeneralDescription Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand batterypoweredapplicationswherelowin-linepower lossandfastswitchingarerequired. Features Lowgatecharge(6.2nCtypical) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON). Highpowerversionofi

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

FDN360P

PowerTrench MOSFET，單 P 溝道; ?-2 A，-30 V\n?RDS(on) = 80 mΩ @ VGS = -10 V\n?RDS(on) = 125 mΩ @ VGS = -4.5 V\n?低柵極電荷（6.2nC，典型值）\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?高功率版本的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝。 相同的SOT-23引腳，可將功率處理能力提高30%。\n;

此P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持低柵極電荷以獲得卓越開(kāi)關(guān)性能而定制的。 這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開(kāi)關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDN360P

Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET

GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductoradvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance.Thesedevicesarewellsui

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDN360P

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/360/marking.html">360；Package：SOT-23；Single P-Channel, PowerTrench MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDS360

MonolithicDualSwitchingDiodeCommonAnode

FS

First Silicon Co., Ltd

FM360

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER(VOLTAGERANGE20to100VoltsCURRENT3.0Amperes)

RECTRON

Rectron Semiconductor

FM360

Siliconepitaxialplanertype

Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

FM360

ChipSchottkyBarrierDiodes

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

FM360-A

Siliconepitaxialplanertype

Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    P-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    -30

  • VGS Max (V)：

    20

  • VGS(th) Max (V)：

    -3

  • ID Max (A)：

    -2

  • PD Max (W)：

    0.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    125

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    80

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：

    3

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    6.2

  • Ciss Typ (pF)：

    298

  • Package Type：

    SOT-23-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ONSEMI/安森美
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更多FDN360P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 15:17:00

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