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FDN360P中文資料友臺半導體數據手冊PDF規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

FDN360P

功能描述

Single P-Channel MOSFET

絲印標識

360

封裝外殼

SOT-23

文件大小

376.95 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商

UMW

中文名稱

友臺半導體

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-9-21 12:01:00

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FDN360P規(guī)格書詳情

特性 Features

Low gate charge (6.2 nC typical)

High performance trench technology for extremely low RDS(ON) .

High power version of industry Standard SOT-23 package.

higher power handling capability.

VDS (V) = -30V

D= -2A (VGS=10V)

RDS(ON) < 80m (VGS = -10V)

RDS(ON) < 125m (VGS = -4.5V)

產品屬性

  • 型號:

    FDN360P

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD
24+
SOT23
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假一賠十全新原裝現貨特價供應工廠客戶可放款
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