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FDMS1D4N03S數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDMS1D4N03S

功能描述

N 溝道,PowerTrench? SyncFETTM,30V,211A,1.09mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-11 19:11:00

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FDMS1D4N03S規(guī)格書詳情

描述 Description

FDMS1D4N03S 設(shè)計用于最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 先進的硅和封裝技術(shù)完美融合,在保持卓越開關(guān)性能的同時,提供了最低的rDS(on)。 該器件可被額外作為一個有效的單片肖特基體二極管使用。

特性 Features

?最大 rDS(on) = 1.09 mΩ(VGS = 10 V、ID = 38 A)
?最大 rDS(on) = 1.3 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 35 A)
?高性能技術(shù),實現(xiàn)極低的 rDS(on)
?SyncFETTM 肖特基體二極管
?100%經(jīng)過UIL測試
?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMS1D4N03S

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :16

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :211

  • PD Max (W)

    :74

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.09

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :28

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :46

  • Ciss Typ (pF)

    :7320

  • Package Type

    :PQFN-8

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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