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FDMS007N08LC數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDMS007N08LC

功能描述

功率 MOSFET 80V,單 N 溝道,84A,6.7mΩ,采用 Power 56 封裝。

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-13 10:38:00

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FDMS007N08LC規(guī)格書詳情

描述 Description

This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench? process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

特性 Features

? Shielded Gate MOSFET Technology
? Max rDS(on) = 6.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 21 A
? Max rDS(on) = 9.9 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A
? 50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers
? Lowers Switching Noise/EMI
? MSL1 Robust Package Design
? 100% UIL Tested
? RoHS Compliant
? Logic Level drive Capable

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.
? AC-DC Synchronous Rectification
? DC-DC primary and secondary mosfet
? Motor control switch

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMS007N08LC

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :84

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :9.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :6.7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :16

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :33

  • Ciss Typ (pF)

    :2227

  • Package Type

    :PQFN-8

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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