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FDMS1D2N03DSD數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書(shū)

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

FDMS1D2N03DSD

功能描述

PowerTrench? Power Clip Asymmetric Dual N-Channel MOSFET, 30 V

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-11 19:11:00

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FDMS1D2N03DSD規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.

特性 Features

? Q1: Max RDS(on) = 3.25 mOhm at Vgs = 10V
? Q1: Max RDS(on) = 4.0 mOhm at Vgs = 4.5V
? Q2: Max RDS(on) = 0.97 mOhm at Vgs = 10V
? Q2: Max RDS(on) = 1.25 mOhm at Vgs = 4.5V
? Low Inductance Packaging Shortens Rise/Fall Times, Resulting in Lower Switching Losses
? MOSFET Integration Enables Optimum Layout for Lower Circuit Inductance and Reduced Switch Node Ringing

應(yīng)用 Application

? Computing
? Networking
? Point of Load
? VGA Cards
? Telecom Power Supplies
? Servers

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :FDMS1D2N03DSD

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :16

  • VGS(th) Max (V)

    :Q1: 2.5Q2: 3.0

  • ID Max (A)

    :Q1: 70Q2: 164

  • PD Max (W)

    :Q1: 26Q2: 42

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 4.0Q2: 1.25

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 3.25Q2: 0.97

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :Q1: 11 Q2: 39

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :Q1: 23 Q2: 84

  • Ciss Typ (pF)

    :Q1: 1410Q2: 4860

  • Package Type

    :PQFN-8

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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