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FDS4435BZ

30VoltP-ChannelPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench?processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS4435BZ

P-ChannelPowerTrench?MOSFET-30V,-8.8A,20m廓

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench?processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS4435BZ

-30VP-ChannelMOSFET

GeneralDescription ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandload switchingapplicationscommoninNotebookComputersand PortableBatteryPacks. Features VDS(V)=-30V ID=-8.8A(VGS=-10V) RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

FDS4435BZ

P-ChannelPowerTrenchMOSFET-30V,-8.8A,20m?

Features MaxrDS(on)=20m?atVGS=-10V,ID=-8.8A MaxrDS(on)=35m?atVGS=-4.5V,ID=-6.7A ExtendedVGSSrange(-25V)forbatteryapplications HBMESDprotectionlevelof±3.8KVtypical(note3) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowrDS(on) Highpowerand

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDS4435BZ-NL

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

FDS4435-NL

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

FQ4435Q

Plastic-EncapsulateMOSFETS

DESCRIPTION TheFQ4435Qusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellent RDS(on),shoot-throughimmunity,bodydiodecharacteristicsandultra-lowgate resistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinNotebook CPUcorepowerconversion. APPLICATIONS BatteryS

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

FQ4435SQ

Plastic-EncapsulateMOSFETS

DESCRIPTION TheFQ4435SQusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR shoot-throughimmunity,bodydiodecharacteristicsandltra-lowgateresistance. ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinNotebookCPUcorepowerconversion. APPLICATIONS BatterySwitch L

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

FS4435

SingleP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

FortuneFortune Semiconductor Corp.

富晶富晶電子股份有限公司

FTK4435

HighPowerandcurrenthandingcapability

FS

First Silicon Co., Ltd

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    P-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    -30

  • VGS Max (V)：

    25

  • VGS(th) Max (V)：

    -3

  • ID Max (A)：

    -18

  • PD Max (W)：

    31

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    37

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：

    26

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    17

  • Ciss Typ (pF)：

    1540

  • Package Type：

    WDFN-8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ONSEMI/安森美
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MLP-8
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ONSEMI/安森美全新特價FDMC4435BZ即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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ON/安森美
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QFN8
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原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗歡迎詢價
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ON
21+
POWER33
6000
全新原裝公司現(xiàn)貨
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FAIRCHILD/仙童
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QFN8
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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ON
23+
POWER33
6000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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ON/安森美
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QFN8
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原裝正品
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ON/安森美
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WDFN83.3x3.3
120000
原裝正品 可含稅交易
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FAIRCHILD/仙童
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QFN8
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只做進(jìn)口原裝QQ:373621633
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QFN8
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更多FDMC4435BZ供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 14:14:00

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