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FDMC4435BZ

P-Channel Power Trench? MOSFET -30V, -18A, 20.0m廓

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench?processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance.ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDMC4435BZ

-30V P-Channel Power Trench? MOSFET; ?Max rDS(on) = 20.0mΩ（在VGS= -10V, ID = -8.5A時(shí)）\n?在VGS = -4.5V，ID = -6.3A時(shí)，最大值rDS(on) = 37.0 mΩ\n?擴(kuò)展了VGSS范圍(-25V)，適合電池應(yīng)用\n?rDS(on)極低的高性能溝道技術(shù)\n?高功率和高電流處理能力\n?HBM ESD保護(hù)等級(jí)7kV典型值>\n?100%經(jīng)過(guò)UIL測(cè)試\n?終端是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛產(chǎn)品\n;

這一P溝道MOSFET器件采用飛兆半導(dǎo)體的高級(jí)PowerTrench?工藝生產(chǎn)，該工藝專為最大限度地降低通態(tài)電阻而量身定制。 該器件非常適用于筆記本電腦和便攜式電池組中的功率管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDMS4435BZ

P-ChannelPowerTrench?MOSFET-30V,-18A,20m廓

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench?processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance.ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS4435

30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS4435

P-ChannelLogicLevelPowerTrench??OSFET

GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features ?–9A,–30V.RDS(ON)=0.017Ω@VGS=

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS4435

P-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features ?–8.8A,–30VRDS(ON)=20mW@VGS

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS4435

-30VP-ChannelMOSFET

GeneralDescription ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandload switchingapplicationscommoninNotebookComputersand PortableBatteryPacks. Features VDS(V)=-30V ID=-8.8A(VGS=-10V) RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

FDS4435A

P-ChannelLogicLevelPowerTrench??OSFET

GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features ?–9A,–30V.RDS(ON)=0.017Ω@VGS=

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS4435A

P-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDS4435A-NL

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    P-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    -30

  • VGS Max (V)：

    25

  • VGS(th) Max (V)：

    -3

  • ID Max (A)：

    -18

  • PD Max (W)：

    31

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    37

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：

    26

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    17

  • Ciss Typ (pF)：

    1540

  • Package Type：

    WDFN-8

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ONSEMI/安森美
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ONSEMI/安森美全新特價(jià)FDMC4435BZ即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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6000
全新原裝現(xiàn)貨、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)!
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更多FDMC4435BZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 14:14:00

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