描述 Description

該器件特別設(shè)計為一個單封裝解決方案，適用于手機和其他超便攜應(yīng)用的升壓拓樸。 該器件具有一個低輸入電容的MOSFET、完整的柵極電荷、導(dǎo)通電阻以及一個獨立連接的肖特基二極管。此肖特基二極管具有低正向電壓和反向漏電流，以盡可能提高升壓效率。 MicroFET 2x2封裝以其緊湊的尺寸提供了卓越的熱性能，非常適用于開關(guān)和線性模式應(yīng)用。

特性 Features

?RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3.0 V
? RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4.5 V
?RDS(ON) = 163 mΩ（VGS = 2.5V時）肖特基二極管：
?VF < 0.46 V (500mA)
?薄型 - 最厚0.8mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm封裝
?HBM ESD保護電平 = 1.8kV典型值 （注3）
?符合 RoHS 標準
?RoHS Compliant

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.