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FDFMA2N028Z數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDFMA2N028Z

功能描述

集成式 N 溝道,Power Trench? MOSFET 和肖特基二極管,20V,3.7A,68mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-17 10:03:00

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FDFMA2N028Z規(guī)格書詳情

描述 Description

該器件特別設(shè)計為一個單封裝解決方案,適用于手機和其他超便攜應(yīng)用的升壓拓樸。 它采用具有低通態(tài)電阻的MOSFET,以及一個獨立連接的低正向電壓肖特基二極管。MicroFET 2x2封裝以其緊湊的尺寸提供了卓越的熱性能,非常適用于開關(guān)和線性模式應(yīng)用。

特性 Features

?最大rDS(on) = 68mΩ at VGS = 4.5V, ID = 3.7A
?最大 rDS(on) = 86mΩ at VGS = 2.5V, ID = 3.3A
?HBM靜電放電保護等級為>2kV(注3)肖特基
?VF < 0.37V (500mA)
?薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET2x2 mm封裝
?符合 RoHS 標準

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDFMA2N028Z

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :with Schottky Diode

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :3.7

  • PD Max (W)

    :1.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :86

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :68

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4

  • Ciss Typ (pF)

    :340

  • Package Type

    :WDFN-6

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
原裝FAIRCHI
24+
DFN6
63200
一級代理/放心采購
詢價
ON/安森美
20+
DFN2020-6
120000
原裝正品 可含稅交易
詢價
NK/南科功率
2025+
WDFN-6
986966
國產(chǎn)
詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
DFN
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
24+
DFN6
9000
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
詢價
FAIRCHILD/仙童
25+
DFN6
54648
百分百原裝現(xiàn)貨 實單必成
詢價
FAIRCHILD/仙童
22+
6-MICROFET
25000
只有原裝原裝,支持BOM配單
詢價
FAIRCHILD
原裝
13055
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
FSC/ON
23+
原包裝原封 □□
12200
原裝進口特價供應(yīng) 特價,原裝元器件供應(yīng),支持開發(fā)樣品 更多詳細咨詢 庫存
詢價