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FDB0690N1507L數(shù)據(jù)手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDB0690N1507L

功能描述

N 溝道,PowerTrench? MOSFET,150V,115A,6.9mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-17 20:00:00

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FDB0690N1507L規(guī)格書詳情

描述 Description

此 N 溝道 MOSFET 器件采用飛兆半導體先進的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn),這一先進工藝是專為最大限度地降低工業(yè)應用的導通阻抗并保持卓越的耐用性和開關性能而定制的。

特性 Features

? 最大 rDS(on) = 6.9 mΩ(VGS = 10 V、ID = 17 A)
?快速開關速度
?低柵極電荷
? 高性能溝槽技術可實現(xiàn)極低的 RDS(on)
?高功率和高電流處理能力
? 符合 RoHS 標準

應用 Application

? Industrial Motor Drive
? Industrial Power Supplies
? Industrial Automation
? Battery Protection
? Uninterruptible Power Supplies
? Energy Inverters
? Energy Storage
? Load Switch
? Battery Opperated Tools
? Solar Inverters

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDB0690N1507L

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :115

  • PD Max (W)

    :250

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :6.9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :82

  • Ciss Typ (pF)

    :6265

  • Package Type

    :D2PAK-7/TO-263-7

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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