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FDB0260N1007L數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDB0260N1007L

功能描述

N 溝道 PowerTrench? MOSFET 100V,200A,2.6mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-17 15:48:00

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FDB0260N1007L規(guī)格書詳情

描述 Description

此 N-溝道 MOSFET 采用飛兆先進的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn),這一先進工藝是專為最小化工業(yè)應用的導通電阻并保持卓越的耐用性和開關(guān)性能而定制的。

特性 Features

? 最大值 rDS(on) = 2.6 mΩ(VGS = 10 V、ID = 27 A)
? 快速開關(guān)速度
? 低柵極電荷
? 高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的 RDS(on)
?高功率和高電流處理能力
? 符合RoHS標準

應用 Application

? Industrial Motor Drive
? Industrial Power Supplies
? Industrial Automation
? Battery Protection
? Uninterruptible Power Supplies
? Energy Inverters
? Energy Storage
? Load Switch
? Battery Opperated Tools
? Solar Inverters

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDB0260N1007L

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :200

  • PD Max (W)

    :250

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :84

  • Ciss Typ (pF)

    :6101

  • Package Type

    :D2PAK-7/TO-263-7

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHI
25+
TO-263
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
詢價
onsemi(安森美)
24+
D2PAK-7
8357
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
ON
2022+
D2PAK-7 / TO-263-7
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
ON/安森美
2447
SMD
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
詢價
ONSemiconductor
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
詢價
FAIRCHILD
20+
TO-263
38900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
ON
17+
TO-263-7
128
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
ON
21+
TO-263-7
140
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價
ONSEMI
2025+
55740
詢價