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FDB060AN08A0_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench匯萊威一部

FDB060AN08A0

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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  • 廠家型號(hào)：

    FDB060AN08A0

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    505348

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-30 17:06:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：FDB060AN08A0品牌：ON/安森美

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  • 芯片型號(hào)：

    FDB060AN08A0

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ISC【無錫固電】詳情

  • 廠商全稱：

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 中文名稱：

    無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    2 頁

  • 文件大?。?/span>

    321.77 kb

  • 資料說明：

    isc N-Channel MOSFET Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    ：FDB060AN08A0

  • Pb-free

    ：Pb

  • Halide free

    ：H

  • Status

    ：Active

  • Channel Polarity

    ：N-Channel

  • Configuration

    ：Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    ：80

  • VGS Max (V)

    ：±20

  • VGS(th) Max (V)

    ：4

  • ID Max (A)

    ：80

  • PD Max (W)

    ：255

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    ：-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    ：6

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    ：6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    ：-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    ：73

  • Ciss Typ (pF)

    ：5150

  • Package Type

    ：D2PAK-3/TO-263-2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82767689

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503

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