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FD800R17KF6CB2NOSA1數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

FD800R17KF6CB2NOSA1

參數(shù)屬性

FD800R17KF6CB2NOSA1 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1700V 800A

功能描述

IGBT MODULE 1700V 800A

封裝外殼

模塊

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-18 23:00:00

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FD800R17KF6CB2NOSA1規(guī)格書詳情

簡(jiǎn)介

FD800R17KF6CB2NOSA1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FD800R17KF6CB2NOSA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FD800R17KF6CB2NOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤托盤

  • 配置:

    單斬波器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.1V @ 15V,800A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MODULE 1700V 800A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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