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FD650R17IE4數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

FD650R17IE4

參數(shù)屬性

FD650R17IE4 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1700V 930A 4150W

功能描述

IGBT模塊
IGBT MOD 1700V 930A 4150W

封裝外殼

模塊

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-19 18:17:00

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FD650R17IE4規(guī)格書詳情

描述 Description

1700 V ?PrimePACK? 2 斬波IGBT 模塊,采用第四代 IGBT 和 NTC 溫度檢測(cè),也適用于熱界面材料。

特性 Features

? 提高工作溫度 T(tvj op)
? 高直流電壓穩(wěn)定性
? 高電流密度
? 低開關(guān)損耗
? V(vj op) = 150°C
? VCE(SAT)低
? 封裝的 CTI > 400
? 高爬電距離和電氣間隙
? 高功率循環(huán)和溫度循環(huán)能力
? 銅基板
? UL 認(rèn)證

優(yōu)勢(shì):
? 高功率密度
? 標(biāo)準(zhǔn)封裝

簡(jiǎn)介

FD650R17IE4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FD650R17IE4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :FD650R17IE4

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1700 V

  • Configuration

    :Chopper

  • Technology

    :IGBT4 - E4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :650 A

  • OPN

    :FD650R17IE4BOSA2

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :2 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.85 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :PrimePACK? 2

  • Dimensions length

    :172 mm

  • Dimensions width

    :89 mm

  • Package name

    :AG-PRIME2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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