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FD650R17IE4數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

廠商型號(hào) |
FD650R17IE4 |
參數(shù)屬性 | FD650R17IE4 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1700V 930A 4150W |
功能描述 | IGBT模塊 |
封裝外殼 | 模塊 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-19 18:17:00 |
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FD650R17IE4規(guī)格書詳情
描述 Description
1700 V ?PrimePACK? 2 斬波IGBT 模塊,采用第四代 IGBT 和 NTC 溫度檢測(cè),也適用于熱界面材料。
特性 Features
? 提高工作溫度 T(tvj op)
? 高直流電壓穩(wěn)定性
? 高電流密度
? 低開關(guān)損耗
? V(vj op) = 150°C
? VCE(SAT)低
? 封裝的 CTI > 400
? 高爬電距離和電氣間隙
? 高功率循環(huán)和溫度循環(huán)能力
? 銅基板
? UL 認(rèn)證
優(yōu)勢(shì):
? 高功率密度
? 標(biāo)準(zhǔn)封裝
簡(jiǎn)介
FD650R17IE4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FD650R17IE4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
:FD650R17IE4
- 生產(chǎn)廠家
:Infineon
- Green
:yes
- Halogen-free
:no
- Voltage Class
:1700 V
- Configuration
:Chopper
- Technology
:IGBT4 - E4
- IC(nom) / IF(nom)
:650 A
- OPN
:FD650R17IE4BOSA2
- VCE(sat) Tvj=25°C typ
:2 V
- VF Tvj=25°C typ
:1.85 V
- Qualification
:Industrial
- Housing
:PrimePACK? 2
- Dimensions length
:172 mm
- Dimensions width
:89 mm
- Package name
:AG-PRIME2
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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