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FAM65HR51DS2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
FAM65HR51DS2 |
| 參數(shù)屬性 | FAM65HR51DS2 包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 650V 33A 135W |
| 功能描述 | H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter |
| 文件大小 |
601.24 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-21 20:00:00 |
| 人工找貨 | FAM65HR51DS2價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
FAM65HR51DS2規(guī)格書詳情
FAM65HR51DS2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FAM65HR51DS2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
FAM65HR51DS2
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 配置：
半橋逆變器
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 描述：
IGBT MODULE 650V 33A 135W
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
FUJITSU/富士通 |
25+ |
DIP-32P |
8500 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
NA |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
20+ |
36800 |
原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||||
仙童 |
24+ |
QFP |
2000 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718 |
詢價(jià) | ||
FUJ |
24+ |
DIP |
5645 |
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詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原裝正品現(xiàn)貨支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
FUJ |
22+ |
DIP |
28864 |
進(jìn)口原裝!現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
25+ |
電聯(lián)咨詢 |
7800 |
公司現(xiàn)貨,提供拆樣技術(shù)支持 |
詢價(jià) |
