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FAM65HR51DS1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FAM65HR51DS1 |
| 參數(shù)屬性 | FAM65HR51DS1 包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：FAM65HR51DS1 |
| 功能描述 | H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter |
| 文件大小 |
601.24 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-18 12:00:00 |
| 人工找貨 | FAM65HR51DS1價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
FAM65HR51DS1規(guī)格書詳情
FAM65HR51DS1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的FAM65HR51DS1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
FAM65HR51DS1
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- 描述：
FAM65HR51DS1
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
標準封裝 |
8000 |
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詢價 | ||
ON(安森美) |
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onsemi(安森美) |
24+ |
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5113 |
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