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F1022中文資料POLYFET數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

F1022
廠商型號

F1022

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件大小

38.81 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

POLYFET

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更新時間

2025-8-23 23:01:00

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F1022規(guī)格書詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet? process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

80Watts Gemini Package Style AK

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    F1022

  • 制造商:

    TE Connectivity

  • 功能描述:

    Data Bus Components

  • 功能描述:

    D-500-L456-4-613-240 - Bulk

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TI/德州儀器
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