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F1020中文資料POLYFET數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

F1020
廠商型號

F1020

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件大小

40.68 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

POLYFET

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更新時(shí)間

2025-8-23 23:01:00

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F1020規(guī)格書詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

130Watts Gemini

Package Style AR

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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