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FDN306P

SingleP-ChannelPowerTrenchMOSFET

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

FDN306P

P-Channel1.8V(D-S)MOSFET

Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)=40mΩ@VGS=–4.5V RDS(ON)=50mΩ@VGS=–2.5V RDS(ON)=80mΩ@VGS=–1.8V ?Fastswitchingspeed ?Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ?SuperSOTTM-3provideslowRDS(ON)and30higher powerhandlingcapabilitythanSOT

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

FDN306P

P-Channel1.8V(D-S)MOSFET

GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETuses Fairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement applications. Applications ?Batterymanagement ?Loadswitch ?Batteryprotection Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

FDN306P-NL

P-Channel20-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

FFM306

SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIER(VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Amperes)

RECTRON

Rectron Semiconductor

FFM306

Fastrecoverytype

3.0ASurfaceMountFastRecoveryRectifiers-50-1000V Features ?Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. ?Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. ?Highcurrentcapability. ?Fastswitchi

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

FFM306

SurfaceMountFastRecoveryRectifiers

Features: *PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory *FlammabilityClassication94V-OUtilizingFlame *RetardantEpoxyMoldingCompound. *Forsurfacemountedapplications. *ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 *Lowleakagecurrent.

WEITRON

Weitron Technology

FFM306

3A800VFastrecoverydiode

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

PDF上傳者：深圳冠榮電子有限公司

FFM306

SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

PDF上傳者：深圳冠榮電子有限公司

FFM306

PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

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奧倫德品牌降本替代型號ORT308X
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