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FDN306P中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDN306P
廠商型號

FDN306P

功能描述

P-Channel 1.8 V (D-S) MOSFET

絲印標(biāo)識

306

封裝外殼

SOT-23

文件大小

342.58 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
EVVOSEMI
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-1 15:42:00

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FDN306P規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses

Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.

It has been optimized for battery power management

applications.

Applications

? Battery management

? Load switch

? Battery protection

特性 Features

? –2.6 A, –12 V. RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = –2.5 V

RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = –1.8 V

? Fast switching speed

? High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

? SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30 higher

power handling capability than SOT23 in the same

footprint

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDN306P

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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