EC3H02BA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
EC3H02BA |
| 參數(shù)屬性 | EC3H02BA 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006 |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications |
| 封裝外殼 | 3-XFDFN |
| 文件大小 |
53.91 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | SANYO Sanyo Semicon Device |
| 中文名稱 | 三洋 三洋電機(jī)株式會(huì)社 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-9 23:01:00 |
| 人工找貨 | EC3H02BA價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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EC3H02BA規(guī)格書詳情
特性 Features
? Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz).
? High gain : ?S21e?2=12dB typ (f=1GHz).
? High cutoff frequency : fT=7GHz typ.
? Ultrasmall (1006size), slim (0.5mm) leadless package.
? Halogen free compliance (UL94 HB).
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
EC3H02BA-TL-H
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
10V
- 頻率 - 躍遷：
7GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
1dB @ 1GHz
- 增益：
8.5dB
- 功率 - 最大值：
100mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 20mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
70mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝：
ECSP1006-3
- 描述：
RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO/三洋 |
24+ |
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詢價(jià) |
