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EC3H02B分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

EC3H02B
廠商型號

EC3H02B
參數(shù)屬性

EC3H02B 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006
功能描述

VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications
封裝外殼

3-XFDFN
文件大小

41.86 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商

SANYO Sanyo Semicon Device
中文名稱

三洋 三洋電機株式會社
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-9 23:01:00
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EC3H02B規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz).

? High gain : ?S21e?2=12dB typ (f=1GHz).

? High cutoff frequency : fT=7GHz typ.

? Ultrasmall (1006size), slim (0.5mm) leadless package.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    EC3H02BA-TL-H

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1dB @ 1GHz

  • 增益：

    8.5dB

  • 功率 - 最大值：

    100mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 20mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    70mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-XFDFN

  • 供應商器件封裝：

    ECSP1006-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SANYO/三洋
24+
NA/
3000
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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SANYO/三洋
25+
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48000
原裝正品,假一罰十!
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SANYO/三洋
2450+
QFN
6540
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨!終端客戶免費申請樣品!
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50000
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SANYO/三洋
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SANYO
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C0402
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SANYO/三洋
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ECSP1006-3
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