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DS1258Y-70集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
DS1258Y-70 |
參數(shù)屬性 | DS1258Y-70 封裝/外殼為40-DIP 模塊(0.610",15.495mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP |
功能描述 | 128k x 16 Nonvolatile SRAM |
封裝外殼 | 40-DIP 模塊(0.610",15.495mm) |
文件大小 |
207.49 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | MAXIM |
中文名稱 | 美信 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-6 18:28:00 |
人工找貨 | DS1258Y-70價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
DS1258Y-70
- 制造商:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
NVSRAM
- 技術(shù):
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存儲(chǔ)容量:
2Mb(128K x 16)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
70ns
- 電壓 - 供電:
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
40-DIP 模塊(0.610",15.495mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
40-EDIP
- 描述:
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DALLAS |
1126+ |
DIP |
33 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
DALLAS |
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
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Analog Devices Inc./Maxim Inte |
25+ |
40-DIP 模塊(0.610 15.495mm) |
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DALLAS |
23+ |
DIP |
60 |
詢價(jià) |