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DMN3200U-7中文資料美臺半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

DMN3200U-7
廠商型號

DMN3200U-7

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

152.5 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

DIODES

中文名稱

美臺半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-23 23:01:00

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DMN3200U-7規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low On-Resistance

? 90m? @ VGS = 4.5V

? 110m? @ VGS = 2.5V

? 200m? @ VGS = 1.5V

? Low Gate Threshold Voltage

? Low Input Capacitance

? ESD Protected Gate

? Fast Switching Speed

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    DMN3200U-7

  • 功能描述:

    MOSFET 650mW 30Vdss

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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