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DMN3200U中文資料至尚臻品數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

DMN3200U
廠商型號

DMN3200U

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

163.48 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商

ZPSEMI ZP Semiconductor

中文名稱

至尚臻品

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-4 23:01:00

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DMN3200U規(guī)格書詳情

特性 Features

? Low On-Resistance

? 90 mΩ @ VGS = 4.5V

? 110 mΩ @ VGS = 2.5V

? 200 mΩ @ VGS = 1.5V

? Very Low Gate Threshold Voltage

? Low Input Capacitance

? ESD Protected Gate

? Fast Switching Speed

? Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant

Green Device (Notes 2, 3 and 5)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    DMN3200U

  • 制造商:

    DIODES

  • 制造商全稱:

    Diodes Incorporated

  • 功能描述:

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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