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DF2B6.8M1ACT 電路保護(hù)TVS - 二極管 TOSHIBA/東芝

DF2B6.8M1ACT

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  • 廠家型號：

    DF2B6.8M1ACT

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA/東芝

  • 庫存數(shù)量：

    46722

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOD-882

  • 生產(chǎn)批號：

    25+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時間：

    2025-9-22 15:15:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：DF2B6.8M1ACT品牌：TOSHIBA/東芝

TOSHIBA/東芝全新特價DF2B6.8M1ACT即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨

  • 芯片型號：

    DF2B6.8M1ACT

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    268.18 kb

  • 資料說明：

    ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 制造商編號

    ：DF2B6.8M1ACT

  • 生產(chǎn)廠家

    ：東芝

  • Package name

    ：SOD-882 (CST2)

  • Width×Length×Height(mm)

    ：1.0 x 0.6 x 0.38

  • Configuration

    ：Bidirectional

  • ProtectedLines

    ：1

  • Application

    ：USB3.0/DisplayPort1.2

  • Working peakreverse voltageVRWM (Max) (V)

    ：+/-5.0

  • ReversebreakdownvoltageVBR (Min) (V)

    ：6.0

  • CT (Typ.) (pF)

    ：0.3

  • CT (Max) (pF)

    ：0.5

  • Electrostaticdischarge voltage(Based on IEC61000-4-2) (Max) (kV)

    ：+/-12

  • Dynamicresistance(Typ.) (Ω)

    ：0.8

  • ReversecurrentIR (Max) (μA)

    ：0.5

  • Peak pulsecurrent (Max) (A)

    ：2.5

  • Clamp voltage (Based on IEC61000-4-5) (Typ.) (V)

    ：12

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

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  • 電話：

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  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B

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