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DF200R12W1H3FB11BPSA1數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
DF200R12W1H3FB11BPSA1 |
| 參數(shù)屬性 | DF200R12W1H3FB11BPSA1 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD DIODE BRDG EASY1B-2-1 |
| 功能描述 | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 16:03:00 |
| 人工找貨 | DF200R12W1H3FB11BPSA1價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
DF200R12W1H3FB11BPSA1規(guī)格書詳情
簡介
DF200R12W1H3FB11BPSA1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的DF200R12W1H3FB11BPSA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
DF200R12W1H3FB11BPSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 系列：
EasyPACK?
- 包裝：
托盤托盤
- 配置：
單斬波器
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.45V @ 15V，30A
- 輸入：
標準
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
模塊
- 描述：
IGBT MOD DIODE BRDG EASY1B-2-1
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
華新 |
25+23+ |
2016 |
66082 |
絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | |||
Comchip |
16+ |
DF |
92230 |
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠鋒牸鍙皥! |
詢價 | ||
23+ |
65480 |
詢價 | |||||
WALSIN/華新科 |
24+ |
QFN |
7800 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,低價出售,實單可談 |
詢價 | ||
WALSIN/華新科 |
25+ |
2016 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
PXW |
23+ |
DF |
1100000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
WALSIN/華新 |
23+ |
2016 |
6800 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
- |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
