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DF200R12W1H3FB11BOMA1數據手冊分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號

DF200R12W1H3FB11BOMA1

參數屬性

DF200R12W1H3FB11BOMA1 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤托盤;類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊;產品描述:IGBT MOD 1200V 30A 20MW

功能描述

IGBT 模塊 LOW POWER EASY
IGBT MOD 1200V 30A 20MW

封裝外殼

模塊

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數據手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-7 17:30:00

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DF200R12W1H3FB11BOMA1規(guī)格書詳情

簡介

DF200R12W1H3FB11BOMA1屬于分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產的DF200R12W1H3FB11BOMA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

技術參數

更多
  • 產品編號:

    DF200R12W1H3FB11BOMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    EasyPACK?

  • 包裝:

    托盤托盤

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.45V @ 15V,30A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 30A 20MW

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
WALSIN/華新
24+
2016
3000
全新原裝高價回收此類電子料
詢價
23+
65480
詢價
WALSIN/華新科
25+
2016
880000
明嘉萊只做原裝正品現貨
詢價
COMCHIP/典琦科技
新年份
DF
92230
原裝正品大量現貨,要多可發(fā)貨,實單帶接受價來談!
詢價
華新
25+23+
2016
66082
絕對原裝正品現貨,全新深圳原裝進口現貨
詢價
WALSIN/華新科
24+
QFN
7800
全新原廠原裝正品現貨,低價出售,實單可談
詢價
INFINEON/英飛凌
2021+
45000
十年專營原裝現貨,假一賠十
詢價
HRS
24+
2X10P-1.0
8600
詢價
PXW
23+
DF
1100000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
Infineon Technologies
22+
9000
原廠渠道,現貨配單
詢價