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CY7C109B-15VC

128K x 8 Static RAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C109B-15VC

128K x 8 Static RAM

FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C109B-15VC

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CY7C109B-15VC

Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C109B-15VI

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C109B-15VI

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C109B-15VXC

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C109B-15ZC

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C109B-15ZC

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C109B-15ZI

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    CY7C109B-15VC

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CY
2020+
SOJ-32
18600
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
Cypress
SOJ
5800
Cypress一級(jí)分銷,原裝原盒原包裝!
 詢價(jià)
CYPRESS
16+
NA
8800
原裝現(xiàn)貨,貨真價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
Cypress
24+
SOJ
3500
原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票
 詢價(jià)
CY
05+
SOJ32
198
全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
CYPRESS
23+
SOJ
9526
詢價(jià)
CYPRESS
24+
SOJ-32
2630
詢價(jià)
CY
24+
SOJ32
14
詢價(jià)
CYPRESS
24+
SOJ
5650
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!
 詢價(jià)
CYPRESS
05+
原廠原裝
4304
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
更多CY7C109B-15VC供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 8:22:00

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