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CY7C109B-15VXC

128K x 8 Static RAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C109B-15VXC

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CY7C109B-15VXC

Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

ETC

ETC

CY7C109B-15VXCT

Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

ETC

ETC

CY7C109B-15ZC

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C109B-15ZC

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C109B-15ZI

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C109B-15ZXC

128Kx8StaticRAM

FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY7C109B-15VXC

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    32-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CY7C109B-15VXC供應商 更新時間2025-7-30 8:31:00

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